12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了在車(chē)規(guī)級(jí)領(lǐng)域具有標(biāo)桿性意義的IGBT4.0技術(shù)，再一次展示出其在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor)全稱(chēng)“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動(dòng)力電池電芯并稱(chēng)為電動(dòng)車(chē)的 “雙芯”，是影響電動(dòng)車(chē)性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車(chē)成本的5%左右。對(duì)于電動(dòng)車(chē)而言，IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車(chē)輛的扭矩和最大輸出功率等。得益于在IGBT等核心技術(shù)領(lǐng)域的強(qiáng)大實(shí)力，比亞迪電動(dòng)車(chē)的超凡性能得以落地并具備持續(xù)迭代升級(jí)的能力。

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)

比亞迪IGBT4.0晶圓

作為中國(guó)第一家實(shí)現(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車(chē)企，此次發(fā)布會(huì)上，比亞迪還釋放了另一重磅消息：比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車(chē)。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪旗下的電動(dòng)車(chē)將全面搭載SiC電控。